динамический способ выращивания

Класс 12С, о К АВТОРСКОМУ СВ)ДЕ ГЕЛЬСТВУ А, А. Штернберг и П. Г. 1озд1»яков СПОСОБ ИЗГОТОРЛЕИБЯ ЗРТРАЕОГ ДЯ ЫЫРЦ»ИВАИИс1 КР»”.: 7АЛЛОВ ВИ1-1КОтгИСИОГО ХА, ПИЯ И Сг»ОСОБ ВЫРМЦИВАИИЯ ДОСЛЕДЕИХ,: Д Э И, “-., ь, Р-; ,; -, Ог 3еязяено 3 нюня 1о52 г. Зо М Л-1Г»10150323 -,: 11нннсте»»сте, промьнппенностн сре; ....

Класс 12с, 2 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ Зареанстрир Н. Н, Шефтал спасов получения )чонокристлллов из РАстворов солеЙ Заявлено августа 1941 года в Наркомэлектропром за Ле 47234 (307706) Опубликовано 31 октября 1945 года Предмет изобретения Способ получения монокристаллов из растворов солей с вращением выращиваемого кристалла в растворе, о т л и...

ассаЗНЯ. 11 П, ” Н, тй, к: к,; Фк1ыЯ Ь.; и018; 1Й Гп ОА Класс 12с, 2 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ П. Г. Поздняяов СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ Заявлено 26 сентября 1947 г, за 3 476А-2183370296 в Министерство промышленности средств связи СССР Опубликовано в Бюллетене изобретений» М 5 за 1954...

  Код ссылки <a href="http://patentdb.su/1-108256-sposob-dinamicheskogo-vyrashhivaniya-monokristallov.html" rel="bookmark" title="База патентов СССР">Способ динамического выращивания монокристаллов</a> Похожие патенты

3, Прием выполнеция способа по П, 1 и 2, Отличающийся тем, что при кристаллизации из раство ров и газовой фазы в одном кристаллизаторе получают несколько кристаллов.

2, Прием выполнения спосооа по п. 1, отлич ающийся тем, что выращивание монокристаллов производят из расплавов, а также из газовой среды.

1, Способ динамического выращивания монокристаллов для оптического пьезоэлектрического и иных назначений с укреплением в криста. члизаторе затравочцых кристал. лов, отличающийся тем, что, с целью ускорения роста и получения более однородного моцокристалла, создают беспорядочное движение раствора по отношению к монокристаллу путем реверсивного вращения кристаллизатора по горизонтальной илц вертикальнои оси с чередующимися промежутками ПОК051.

из расплавов ак и из газовой

К недостаткам известных способов относится однообразный характер движения, что ограничивает скорость роста кристаллов. Предло жено ввести беспорядочный характер движения раствора, лишенный однообразия ц обеспечивающий статически наиболее равномерное омывацие поверхности всего кристалла путем реверсивного вращения кристаллизатора с чередующимися периодами покоя. Реверсивцое враще. нис кристаллизатора це требует движущихся деталей и способствуе1 скорости роста монокристаллов, Ре версивность и смены периодов дви жения и пОкОя Осуществляют спе циальным приспособлением, напри. мер, электромеханическим реле. Способ пригоден для выращивания Одновременно двух кристаллов как

В известных способах выращиваци51 крист аллоя. для Оптического, пьсзоэ, н ктрцческого н иных цазцаеп ццй с укрепленными в крцсталлцза торс: 1дтравочными кристалла ми применяют динамические методы выращцвания монокристаллов, со. стоящие во вращении растуцего кристалла цли в иерем ешивани и раствора.

П11с дмс т изобретения

Электронрс5мышлениости

Завалено 9 апрели 1946 г, аа 12944220б8 в Народный Кс5мжеариат

СПОСОБ ДИНАМИЧЕСКОГО ВЫРАЩИВАНИЯ

С, К. Попов и Н. Н, Шефталь

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ8У

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

| Способ динамического выращивания монокристаллов | | | Опубликовано: Автор(ы): , Номер патента: 108256 Страница 1 Распознанный текст Класс 12с, 2

Для осуществления поиска и удобного отображения страниц патентов включите обработку Javascript в вашем браузере.

Способ динамического выращивания монокристаллов - Патент СССР 01.01.1957 | База патентов СССР